能發射激光的裝置。按工作介質分，激光器可分為氣體激光器、固體激光器、半導體激光器和染料激光器4大類。近來還發展了自由電子激光器，大功率激光器通常都是脈沖式輸出。半導體激光器也稱為半導體激光二極管，或簡稱激光二極管(Laser Diode，LD)。由于半導體材料本身物質結構的特異性以及半導體材料中電子運動規律的特殊性，使半導體激光器的工作特性具有其特殊性。
半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間，或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體激光器，一般是由砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體激光器，一般用N型或P型半導體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質，以其他激光器發出的激光作光泵激勵.高能電子束激勵式半導體激光器，一般也是用N型或者P型半導體單晶如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。在半導體激光器件中，性能較好，應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。
激光器的發明是20世紀科學技術的一項重大成就。它使人們終于有能力駕駛尺度極小、數量極大、運動極混亂的分子和原子的發光過程，從而獲得產生、放大相干的紅外線、可見光線和紫外線(以至X射線和γ射線)的能力。激光科學技術的興起使人類對光的認識和利用達到了一個嶄新的水平。激光器的誕生史大致可以分為幾個階段，其中1916年愛因斯坦提出的受激輻射概念是其重要的理論基礎。這一理論指出，處于高能態的物質粒子受到一個能量等于兩個能級之間能量差的光子的作用，將轉變到低能態，并產生第二個光子，同第一個光子同時發射出來，這就是受激輻射。這種輻射輸出的光獲得了放大，而且是相干光，即如多個光子的發射方向、頻率、位相、偏振完全相同。
鞍山核心電子技術有限公司雙通道恒流恒功率N型半導體激光驅動器 LDA1-CP2是一款專為驅動N型二極管激光器(連接激光二極管的PD陰極以及LD陽極)而設計的電子模塊。該激光驅動器可良好控制及監測驅動電流和輸出激光功率。這款激光驅動器有PWM(脈沖調制)輸出級，功率可高達90%以上，無需散熱片。輸出電流以及激光功率可以由兩個獨立的輸入電壓線性設置，同時也可通過各自的輸出電壓進行線性監測。該產品帶有一個高穩定性、低噪聲的2.5V參考電壓，可用來設置輸出電流以及輸出功率，也可作為外部ADC以及DAC的參考電壓。這款激光驅動器100%無鉛且符合RoHS標準。
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